И в мире лазеров то же: лампы не в силах сдержать вторжение диодов При подаче электрического тока на диод, в области p-n перехода возникает инверсия населённостей, оказавшиеся вблизи электроны и дырки взаимодействуют (туннелирование) с высвобождением световой энергии. Попросту говоря – электричество пробивается сквозь диод, преобразовываясь в свечение фотодиода. Электрон и дырка, при подборе ряда параметров, могут находятся рядом до нескольких микросекунд. В фотодиоде возникает высокий уровень накачки – готовности к испусканию света. Если в это время сквозь область накачки запустить фотон резонансной частоты, то он вызывает реакцию когерентности – совместного резонирования всей области накачки с испусканием лазерного луча. Избегая рассеивания лучей и добиваясь равномерного потока электрической энергии, создают лазерные диоды – тончайшие прямоугольные пластинки. Такая пластинка толщиной обычно чуть превышает длину световой волны, служа оптическим волноводом. Верхний слой легируют для создания n-области, нижний – для создания p-области. Боковые области полируют, образуя оптический резонатор. Резонирующий импульс подают с одного торца, лазерное излучение испускается с другого. Увеличивая толщину пластин и располагая их последовательно, в том числе для накачки лазеров других типов, получают лазеры разнообразной мощности и качества луча. Ценятся «чисто» лазерные, мало подверженные рассеиванию лучи. Для получения направленного луча применяют собирающие линзы. Более 20 лет длился путь от экспериментов к практике. Теперь же твердотельные ламповые лазеры уже не выдерживают конкуренции с более экономичными, миниатюрными, технологичными в производстве и надёжными в использовании диодными лазерами, постепенно захватывающими всё новые сегменты рынка. КПД использования электроэнергии диодных лазеров приближается к 50%, ламповых же порядка 5%.Продолжаются эксперименты в области систем оптоволоконных диодных лазеров, совершенствуют охлаждение, создают кассеты и так далее. Технологии – совершенствуются, диоды – наступают.